Part Number Hot Search : 
1N5352B 1N4006G 40HF80M 36N50 F222EOT 2415S X84C1 220ML
Product Description
Full Text Search
 

To Download FF225R12ME4P Datasheet File

  If you can't view the Datasheet, Please click here to try to view without PDF Reader .  
 
 


  Datasheet File OCR Text:
  datasheet pleasereadtheimportantnoticeandwarningsattheendofthisdocument v3.0 www.infineon.com 2017-04-04 FF225R12ME4P econodual?3modulmittrench/feldstoppigbt4undemittercontrolledhediodeundntc/bereits aufgetragenemthermalinterfacematerial econodual?3modulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolledhediodeandntc/ pre-appliedthermalinterfacematerial v ces = 1200v i c nom = 225a / i crm = 450a typischeanwendungen typicalapplications ? ? motorantriebe motordrives ? ? servoumrichter servodrives ? ? usv-systeme upssystems ? ? windgeneratoren windturbines elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? niedrigesv cesat lowv cesat ? ? t vjop =150c t vjop =150c mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? standardgeh?use standardhousing ? ? thermisches interface material bereits aufgetragen pre-appliedthermalinterfacematerial modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23
datasheet 2 v3.0 2017-04-04 FF225R12ME4P igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces  1200  v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t h = 70c, t vj max = 175c i c nom  225  a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm  450  a gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges  +/-20  v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 225 a, v ge = 15 v i c = 225 a, v ge = 15 v i c = 225 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,10 2,15 2,15 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 7,80 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,20 5,80 6,40 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 1,55 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 3,3 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 13,0 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,705 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 3,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 225 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,6 w t d on 0,16 0,17 0,18 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 225 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 1,6 w t r 0,04 0,04 0,04 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 225 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,6 w t d off 0,38 0,47 0,50 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 225 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 1,6 w t f 0,07 0,09 0,10 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 225 a, v ce = 600 v, l s = 80 nh v ge = 15 v, di/dt = 5750 a/s (t vj = 150c) r gon = 1,6 w e on 6,80 12,5 15,0 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 225 a, v ce = 600 v, l s = 80 nh v ge = 15 v, du/dt = 3400 v/s (t vj = 150c) r goff = 1,6 w e off 17,0 26,5 29,5 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 900 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbiskhlk?rper thermalresistance,junctiontoheatsink proigbt/perigbt validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial r thjh 0,175 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c
datasheet 3 v3.0 2017-04-04 FF225R12ME4P diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm  1200  v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f  225  a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm  450  a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t  10000 8100  a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 225 a, v ge = 0 v i f = 225 a, v ge = 0 v i f = 225 a, v ge = 0 v v f 1,65 1,65 1,65 2,10 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 225 a, - di f /dt = 5750 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 300 320 340 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 225 a, - di f /dt = 5750 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 22,5 43,0 49,5 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 225 a, - di f /dt = 5750 a/s (t vj =150c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 12,0 22,0 25,0 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbiskhlk?rper thermalresistance,junctiontoheatsink prodiode/perdiode validwithifxpre-appliedthermalinterfacematerial r thjh 0,197 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t ntc = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t ntc = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t ntc = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
datasheet 4 v3.0 2017-04-04 FF225R12ME4P modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min v isol  2,5  kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate  cu  innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140)  al 2 o 3  kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal  14,5 13,0  mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal  12,5 10,0  mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti  > 200  min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 20 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t h =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' 1,30 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c h?chstzul?ssige bodenplattenbetriebstemperatur maximumbaseplateoperationtemperature t bpmax 125 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 6,00 nm anzugsdrehmomentf.elektr.anschlsse terminalconnectiontorque schraubem6-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm6-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,0 - 6,0 nm gewicht weight g 345 g lagerung und transport von modulen mit tim => siehe an2012-07 storage and shipment of modules with tim => see an2012-07
datasheet 5 v3.0 2017-04-04 FF225R12ME4P ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 3,2 3,6 4,0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =1.6 w ,r goff =1.6 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 0 10 20 30 40 50 60 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c
datasheet 6 v3.0 2017-04-04 FF225R12ME4P schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =225a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 10 20 30 40 50 60 70 80 e on , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 125c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 1 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,0116 0,000543 2 0,0653 0,0237 3 0,0768 0,122 4 0,0213 1,22 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =1.6 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 0 75 150 225 300 375 450 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c
datasheet 7 v3.0 2017-04-04 FF225R12ME4P schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =1.6 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 0 5 10 15 20 25 30 35 40 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =225a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 5 10 15 20 25 30 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,001 0,01 0,1 1 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,0141 0,000542 2 0,0768 0,023 3 0,0841 0,121 4 0,022 1,19 ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t ntc [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
datasheet 8 v3.0 2017-04-04 FF225R12ME4P schaltplan/circuitdiagram geh?useabmessungen/packageoutlines in fin e o n
trademarksofinfineontechnologiesag hvic?,ipm?,pfc?,au-convertir?,aurix?,c166?,canpak?,cipos?,cipurse?,cooldp?,coolgan?,coolir?, coolmos?,coolset?,coolsic?,dave?,di-pol?,directfet?,drblade?,easypim?,econobridge?,econodual?, econopack?,econopim?,eicedriver?,eupec?,fcos?,ganpowir?,hexfet?,hitfet?,hybridpack?,imotion?, iram?,isoface?,isopack?,ledrivir?,litix?,mipaq?,modstack?,my-d?,novalithic?,optiga?,optimos?, origa?,powiraudio?,powirstage?,primepack?,primestack?,profet?,pro-sil?,rasic?,real3?,smartlewis?, solidflash?,spoc?,strongirfet?,supirbuck?,tempfet?,trenchstop?,tricore?,uhvic?,xhp?,xmc?  trademarksupdatednovember2015  othertrademarks allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    edition2017-04-04 publishedby infineontechnologiesag 81726mnchen,germany ?2017infineontechnologiesag. allrightsreserved. doyouhaveaquestionaboutthisdocument? email:erratum@infineon.com   wichtigerhinweis dieindiesemdokumententhaltenenangabenstellenkeinesfallsgarantienfrdiebeschaffenheitodereigenschaftendesproduktes (beschaffenheitsgarantie)dar.frbeispiele,hinweiseodertypischewerte,dieindiesemdokumententhaltensind,und/oderangaben, diesichaufdieanwendungdesproduktesbeziehen,istjeglichegew?hrleistungundhaftungvoninfineontechnologiesausgeschlossen, einschlie?lich,ohnehieraufbeschr?nktzusein,diegew?hrdafr,dasskeingeistigeseigentumdritterverletztist. desweiterenstehens?mtliche,indiesemdokumententhalteneninformationen,unterdemvorbehaltdereinhaltungderindiesem dokumentfestgelegtenverpflichtungendeskundensowieallerimhinblickaufdasproduktdeskundensowiedienutzungdesinfineon produktesindenanwendungendeskundenanwendbarengesetzlichenanforderungen,normenundstandardsdurchdenkunden. dieindiesemdokumententhaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilungder eignungdiesesproduktesfrdiebeabsichtigteanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderindiesemdokumententhaltenen produktdatenfrdieseanwendungobliegtdentechnischenfachabteilungendeskunden. solltensievonunsweitereinformationenimzusammenhangmitdemprodukt,dertechnologie,lieferbedingungenbzw.preisen ben?tigen,wendensiesichbitteandasn?chstevertriebsbrovoninfineontechnologies(www.infineon.com). warnhinweis aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnenproduktegesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beifragenzudenindiesem produktenthaltenensubstanzen,setzensiesichbittemitdemn?chstenvertriebsbrovoninfineontechnologiesinverbindung. soferninfineontechnologiesnichtausdrcklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigteninfineonmitarbeiternunterzeichneten dokumentzugestimmthat,drfenproduktevoninfineontechnologiesnichtinanwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernnftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinfehlerdesproduktesoderdiefolgendernutzungdesprodukteszu personenverletzungenfhren.    importantnotice theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (beschaffenheitsgarantie).withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomerscompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomersproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomersapplications. thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.itistheresponsibilityofcustomerstechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestinfineon technologiesoffice(www.infineon.com). warnings duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. exceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyinfineontechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofinfineon technologies,infineontechnologiesproductsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury. in fin e o n


▲Up To Search▲   

 
Price & Availability of FF225R12ME4P
DigiKey

Part # Manufacturer Description Price BuyNow  Qty.
FF225R12ME4PBPSA1
FF225R12ME4PBPSA1-ND
Infineon Technologies AG IGBT MOD 1200V 450A 20MW 84: USD102.91512
30: USD107.816
12: USD111.9
6: USD120.885
BuyNow
0
FF225R12ME4PBPSA1
2156-FF225R12ME4PBPSA1-ND
Rochester Electronics LLC IGBT MODULE 3: USD135.49
BuyNow
0
FF225R12ME4PB11BPSA1
FF225R12ME4PB11BPSA1-ND
Infineon Technologies AG IGBT MOD 1200V 450A 20MW 84: USD102.91512
30: USD107.816
12: USD111.9
6: USD120.885
BuyNow
0

Avnet Americas

Part # Manufacturer Description Price BuyNow  Qty.
FF225R12ME4PBPSA1
FF225R12ME4PBPSA1
Infineon Technologies AG Transistor IGBT Module N-CH 1200V 225A 20V Screw Mount Tray - Trays (Alt: FF225R12ME4PBPSA1) RFQ
0
FF225R12ME4PB11BPS
FF225R12ME4PB11BPS
Infineon Technologies AG Transistor IGBT Module N-CH 1200V 225A 20V Screw Mount Tray - Trays (Alt: FF225R12ME4PB11BPS) RFQ
0

Mouser Electronics

Part # Manufacturer Description Price BuyNow  Qty.
FF225R12ME4PBPSA1
726-FF225R12ME4PBPSA
Infineon Technologies AG IGBT Modules N 1: USD120.87
12: USD111.88
30: USD107.8
54: USD102.91
RFQ
0
FF225R12ME4PB11BPSA1
726-FF225R12ME4PB11B
Infineon Technologies AG IGBT Modules N 1: USD120.87
12: USD111.88
30: USD107.8
54: USD102.91
RFQ
0

Rochester Electronics

Part # Manufacturer Description Price BuyNow  Qty.
FF225R12ME4PBPSA1
Infineon Technologies AG FFXR12M - IGBT Module 1000: USD116.27
500: USD123.11
100: USD128.58
25: USD134.06
1: USD136.79
BuyNow
168

NTEMALL

Part # Manufacturer Description Price BuyNow  Qty.
FF225R12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies AG Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray 1000: USD90.75
500: USD94.53
100: USD96.46
1: USD98.43
BuyNow
410
FF225R12ME4PBPSA1
Infineon Technologies AG Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray 1000: USD91.59
500: USD95.41
100: USD97.36
1: USD99.35
BuyNow
389

All Rights Reserved © IC-ON-LINE 2003 - 2022  

[Add Bookmark] [Contact Us] [Link exchange] [Privacy policy]
Mirror Sites :  [www.datasheet.hk]   [www.maxim4u.com]  [www.ic-on-line.cn] [www.ic-on-line.com] [www.ic-on-line.net] [www.alldatasheet.com.cn] [www.gdcy.com]  [www.gdcy.net]


 . . . . .
  We use cookies to deliver the best possible web experience and assist with our advertising efforts. By continuing to use this site, you consent to the use of cookies. For more information on cookies, please take a look at our Privacy Policy. X